错误 #3028
由 陈 晓盟 在 大约一个月 之前添加.
更新于 18 天 之前.
描述
测试环境:3.0第四批基站板卡、第五批终端板卡
测试版本：3.0_BD_SL_25week
测试问题：需要优化高频段得相位噪声；测试数据如下附件
文件
历史记录
- 状态 从 新建 变更为 进行中
- % 完成 从 0 变更为 10
- 预期时间 被设置为 30.00 小时
上次王工调整了晶体振荡器，EVM明显提高，那晶体或者晶振的相噪还能提高吗？调整什么参数？ DSA原则上对相噪的增加较少。
参考adr9026文档查看相噪与测试结果比较如下：需修改环路滤波器配置
1、gNB（EVMT4）板卡600M、3.5G实测结果相较于文档高10dBc/Hz左右；4.9G频段相较于文档高5dBc/Hz左右；5.8G符合；
2、终端（EVMT2）板卡600M、3.5G实测结果相较于文档高20dBc/Hz左右；4.9G、5.8G实测结果相较于文档高10dBc/Hz左右；
EVM的前后对比差别不大，在3500MHz的中心频率，改为500K的Loop filter的EVM从2.0%提高到1.9%。改善有点，在100Hz相对频率偏移附近的相噪有些优化，这也是对EVM有贡献的直接原因。
- 状态 从 进行中 变更为 已解决
- % 完成 从 60 变更为 100
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